RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
52
Около -93% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.5
1,145.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
4200
Около 6.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,614.5
17.4
Скорость записи, Гб/сек
1,145.9
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
25600
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
409
3692
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link