RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3196
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Smart Modular SH564568FH8NZPHSCR 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link