RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link