RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
66
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3433
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link