RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
66
Около -187% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
23
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2659
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link