RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
46
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2825
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link