A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 66

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.3 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 33
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 16.0
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 3238

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

Kingston 9965600-005.A01G 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70QH0-YK0 16GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB

модули RAM

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB

модули RAM