Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB против Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Средняя оценка

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Причины выбрать
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 17.6

Среднее значение в тестах

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 54

Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.6 1,308.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 5300

Около 4.02 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

54 27
Скорость чтения, Гб/сек

3,573.5 17.6
Скорость записи, Гб/сек

1,308.1 13.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 21300

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

371 3029

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-D8K3B 4GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160BJ.C4F 2GB

модули RAM

Kingston KF560C40-16 16GB

Kingston KF560C40-16 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB

модули RAM

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

Kingston 9965643-006.A01G 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

модули RAM