RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2907
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link