RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
66
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.2
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
33
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3134
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3U13C9G 4GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
INTENSO 5641162 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link