RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3535
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kingston 9905403-198.A00LF 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link