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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
18.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
66
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.6
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
28
读取速度,GB/s
2,775.5
18.2
写入速度,GB/s
1,557.9
14.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3535
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
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