RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
66
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
36
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
9.1
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2090
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link