RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
66
Wokół strony -83% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
9.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 13 15 18 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2090
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N-TF 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link