RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
48
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
36
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2653
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link