RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около -120% меньшая задержка
Выше скорость записи
6.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
11.7
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1832
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link