A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Средняя оценка

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 10.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

50 66

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.3 1,557.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

66 50
Скорость чтения, Гб/сек

2,775.5 10.2
Скорость записи, Гб/сек

1,557.9 7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

382 2248

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB

модули RAM

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

A-DATA Technology DDR4 2666 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

Kingston 9965589-043.E00G 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB

модули RAM