RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
66
Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
50
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
2248
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link