RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
48
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.4
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
48
30
Prędkość odczytu, GB/s
8.9
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1420
2516
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link