RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
11.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
66
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.8
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
31
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
11.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2371
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link