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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
66
左右 -113% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.8
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
31
读取速度,GB/s
2,775.5
11.4
写入速度,GB/s
1,557.9
8.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
2371
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
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