RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
66
Около -136% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3366
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO M418039 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-120.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link