RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
29
Около 17% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
29
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link