RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
17.8
Скорость записи, Гб/сек
9.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3386
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link