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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
比较
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
总分
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
35
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
14.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
35
27
读取速度,GB/s
14.4
17.8
写入速度,GB/s
9.5
14.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2321
3386
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB RAM的比较
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
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