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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
33
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.4
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
33
读取速度,GB/s
16.1
14.8
写入速度,GB/s
10.1
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2828
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
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