RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
55
66
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.3
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
55
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
9.4
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
2185
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link