RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
38
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
6.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
38
Скорость чтения, Гб/сек
14.9
9.3
Скорость записи, Гб/сек
9.5
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2292
1493
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-592.A00LF 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGE85F-C8KL9A 2GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link