RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
66
Около -106% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1897
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link