RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
66
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
59
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
1954
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link