RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
46
Около -44% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
32
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
19.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3572
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link