RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
46
Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3601
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BL51264BA160A.16FH 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link