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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

総合得点
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

総合得点
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 18.5
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    2,061.2 left arrow 15.7
    テスト平均値
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB 考慮すべき理由
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 46
    周辺 -64% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 28
  • 読み出し速度、GB/s
    4,937.3 left arrow 18.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,061.2 left arrow 15.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    759 left arrow 3601

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Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston 9905734-059.A00G 16GB
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メモリRAM
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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