A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 13.9

Среднее значение в тестах

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Причины выбрать
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 46

Около -53% меньшая задержка
Выше пропускная способность

23400 6400

Около 3.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 16.1
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 23400

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3272

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

Kingston KHX2400C11D3/8GX 8GB

Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB

Corsair CMY16GX3M2A2400C11 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB

модули RAM

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

модули RAM

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

модули RAM