RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3262
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link