RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Confronto
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,061.2
14.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
46
Intorno -39% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
33
Velocità di lettura, GB/s
4,937.3
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,061.2
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
759
3262
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link