A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 16.3

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 18.9
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3860

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB

модули RAM

AMD AE34G1601U1 4GB

AMD AE34G1601U1 4GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB

модули RAM