RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
45
46
Около -2% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
45
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
13.2
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2841
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link