RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
65
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
21.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
4506
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
TwinMOS 9DCTCO4E-TATP 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link