RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

総合得点
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 21.3
    テスト平均値
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 65
    周辺 -124% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.3 left arrow 1,592.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    65 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    3,580.8 left arrow 21.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,592.0 left arrow 17.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    572 left arrow 4506

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAMの比較

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
メモリRAM
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
メモリRAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
メモリRAM
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
メモリRAM