A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 18.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 13.9

Среднее значение в тестах

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около -64% меньшая задержка
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 28
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 18.1
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 3534

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

Kingston 9905700-025.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9905701-003.A00G 16GB

Kingston 9905701-003.A00G 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

модули RAM

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB

модули RAM

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB

модули RAM