RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
3315
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link