RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
52
Около 6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,066.5
10.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
52
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
20.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
2472
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link