RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2945
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link