RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
24
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.5
Скорость записи, Гб/сек
10.1
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2484
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link