A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.5

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,061.2 10.6

Среднее значение в тестах

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 46

Около -18% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 39
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 17.5
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2600

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

Shenzen Recadata Storage Technology 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

Kingston 9905711-007.A00G 4GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

Kingston 99U5713-001.A00G 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB

модули RAM

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

Micron Technology 16G3200CL22 16GB

модули RAM

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM