RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
60
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
7.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
7.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1505
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link