RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
60
Около 23% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
7.8
4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2.8
2,061.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
7.8
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
2.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
1505
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link