RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,061.2
11.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,937.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,061.2
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
759
2382
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Transcend Information TS256MSK64V3N-I 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link