A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB против Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

-->

Средняя оценка

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Средняя оценка

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Причины выбрать
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 13.9

Среднее значение в тестах

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Причины выбрать
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 46

Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи

7.1 2,061.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 26
Скорость чтения, Гб/сек

4,937.3 13.9
Скорость записи, Гб/сек

2,061.2 7.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

759 2192

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB

Kingston 9905663-030.A00G 16GB

Kingston 9905663-030.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

Kingston 9905711-032.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB

модули RAM

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

Kingston 9965589-005.A01G 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB

модули RAM