RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
66
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
2
12
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.4
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
66
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
12.0
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1909
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO 4GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link